MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x

單晶和多晶硅片壽命測量設備用于復雜的材料研究和開(kāi)發(fā)。         

特點(diǎn)：        

◇  靈敏度：高的靈敏度，用于可視化迄今為止不可見(jiàn)的缺陷和調查外延層的情況        

◇  測量速度：6英寸硅片<5min，分辨率為1mm        

◇  壽命范圍：20ns到幾十ms        

◇  污染測定：源于坩堝和設備的金屬（鐵）污染        

◇  測量能力：從切割好的硅片到加工的樣品        

◇  靈活性：固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發(fā)        

◇  可靠性：模塊化和緊湊型臺式儀器，可靠性更高，正常運行時(shí)間>99%        

◇  重復性：> 99%        

◇  電阻率：電阻率測繪，無(wú)需頻繁校準        

       
技術(shù)規格:         

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x - 細節：       

◇  MDPmap被設計成一個(gè)緊湊的臺式非接觸電學(xué)表征工具，用于離線(xiàn)生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩態(tài)或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個(gè)寬的注入范圍內測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。        

◇  MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達四個(gè)激光器，用于測量從較低到高的注入水平的壽命，或通過(guò)使用不同的激光波長(cháng)提取深度信息。包括偏置光設施，以及μ-PCD或穩態(tài)注入條件的選項?？梢杂貌煌牡貓D進(jìn)行客戶(hù)定義的計算，也可以輸出主要數據進(jìn)行進(jìn)一步評估。對于標準的計量任務(wù)，預定義的標準只需按下一個(gè)按鈕就能進(jìn)行常規測量。            

 附加選項：        

◇  光斑大小的變化       

◇  電阻率測量（晶圓）        

◇  方塊電阻        

◇  背景/偏光        

◇  反射測量（MDP）        

◇  太陽(yáng)能電池的LBIC（擴散長(cháng)度測量）        

◇  偏壓MDP        

◇  參考晶圓        

◇  硅的內部/外部鐵制圖        

◇  集成加熱臺        

◇  靈活的激光器配置 

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量?jì)x - 測量案例：

MDPmap 應用：

鐵濃度測定        

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線(xiàn)的        

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摻雜樣品的光電導率測量        

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應用，但到目前為止，沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……        

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陷阱濃度測定        

陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。        

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注入相關(guān)測量        

少數載流子壽命強烈依賴(lài)于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線(xiàn)的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心的信息。        

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