MDPspot W
包括一個(gè)額外的電阻率測量選項。測量硅的電阻率，可用于沒(méi)有高度調節可能性的晶圓，或晶磚。必須預先定義這兩個(gè)選項中的一個(gè)。
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MDPspot少子壽命測試儀特點(diǎn)：
◇ 無(wú)接觸無(wú)破壞的電學(xué)半導體特性
◇ 包括μ-PCD測量選項
◇ 對迄今為止看不見(jiàn)的缺陷的可視化和外延層的研究具有*的靈敏度
◇ 集成多達四個(gè)激光器，用于寬的注入水平范圍
◇ 獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖
技術(shù)規格:
單晶或多晶片、晶磚、電池、硅片、鈍化或擴散等不同生產(chǎn)步驟后的晶片 | |
樣品尺寸 | 50 x 50 mm2 以上到 12“ 或 210 x 210 mm2 |
電阻率 | 0.2 - 103Ω·cm |
材料 | 晶片、晶磚、部分或加全部工的硅片、化合物半導體等 |
測量參數 | 載流子壽命 |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg |
電力 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
MDPspot少子壽命測試儀優(yōu)點(diǎn)：
◇ 臺式裝置，用于載流子壽命的單點(diǎn)測量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段，從原生材料到器件。
◇ 體積小，成本低，使用方便。附帶一個(gè)基本的軟件，用于在小型PC或筆記本上進(jìn)行結果可視化。
◇ 適用于硅片到磚，操作高度調節方便。
細節：
◇ 允許單晶圓片調查
◇ 不同的晶圓級有不同的配方
◇ 監控物料、工藝質(zhì)量和穩定性
附加選項：
◇ 光斑大小變化
◇ 電阻率測量(晶片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測量(MDP)
◇ 軟件擴展
◇ 額外的激光器選配
MDPspot 應用：
鐵濃度測定
鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線(xiàn)的
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摻雜樣品的光電導率測量
B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應用，但到目前為止，沒(méi)有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
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陷阱濃度測定
陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽(yáng)能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關(guān)測量
少數載流子壽命強烈依賴(lài)于注入(過(guò)剩余載流子濃度)。從壽命曲線(xiàn)的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心的信息。
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