PHI X射線(xiàn)光電子能譜儀

PHI Genesis 500是新一代配置了全自動(dòng)多功能掃描聚焦X 射線(xiàn)光電子能譜，易操作式多功能選配附件，能夠實(shí)現全自動(dòng)樣品傳送停放，同時(shí)還具備高性能大面積和微區XPS 分析，快速準確深度剖析，為電池、半導體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供多方面的解決方案。

關(guān)鍵技術(shù)

易操作式多功能選配附件

全自動(dòng)樣品傳送停放

高性能大面積和微區XPS 分析

快速準確深度剖析

為電池、半導體、有機器件以及其他各領(lǐng)域提供多方面解決方案 

簡(jiǎn)單易操作

PHI X射線(xiàn)光電子能譜儀提供了一種全新的用戶(hù)體驗，儀器高性能、全自動(dòng)化、簡(jiǎn)單易操作。
操作界面可在同一個(gè)屏幕內設置常規和高級的多功能測試參數，同時(shí)保留諸如進(jìn)樣照片導航和SXI 二次電子影
像準確定位等功能。

簡(jiǎn)單友好的用戶(hù)界面

PHI GENESIS 提供了一個(gè)簡(jiǎn)單、直觀(guān)且易于操作的用戶(hù)界面，對于操作人員非常友好，操作人員執行簡(jiǎn)單的設置操作即可完成包括所有選配附件在內的自動(dòng)化分析。

多功能選配附件

原位的多功能自動(dòng)化分析，涵蓋了從LEIPS 測試導帶到HAXPES 芯能級激發(fā)的全范圍技術(shù)，相比于傳統的XPS 而言，PHI GENESIS 體現了*的性能價(jià)值。

優(yōu)良解決方案：

高性能XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及多種其他選配附件可以滿(mǎn)足所有表面分析需求。

多數量樣品大面積分析

把制備好樣品的樣品托放進(jìn)進(jìn)樣腔室后將自動(dòng)傳送進(jìn)分析腔室內

可同時(shí)使用三個(gè)樣品托

80mm×80mm 的大樣品托可放置多數量樣品

可分析粉末、粗糙表面、絕緣體、形狀復雜等各種各樣的樣品

可聚焦≤ 5μm 的微區X 射線(xiàn)束斑

在PHI GENESIS 中，聚焦掃描X 射線(xiàn)源可以激發(fā)二次電子影像（SXI），利用二次電子影像可以進(jìn)行導航、準確定位、多點(diǎn)多區域同時(shí)分析測試以及深度剖析。

大幅提升的二次電子影像（SXI）
二次電子影像（SXI）準確定位，保證了所見(jiàn)即所得。*的5μmX 射線(xiàn)束斑為微區XPS分析應用提供了新的機遇。

PHI X射線(xiàn)光電子能譜儀快速深度剖析

PHI GENESIS 可實(shí)現高性能的深度剖析。聚焦X 射線(xiàn)源、高靈敏度探測器、高性能氬離子設備和高效雙束中和系統可實(shí)現全自動(dòng)深度剖析，包括在同一個(gè)濺射刻蝕坑內進(jìn)行多點(diǎn)同時(shí)分析。

高性能的深度剖析能力

( 下圖左) 全固態(tài)電池薄膜的深度剖析。深度剖面清晰地顯示了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下圖右) 在LiPON 膜沉積初期，可以看到氧從LiCoO2 層轉移到LiPON 層中，使Co 在LoCoO2 層富Li 界面由氧化態(tài)還原為金屬態(tài)。

角分辨XPS 分析

PHI GENESIS XPS 的高靈敏度微區分析和高度可重現的中和性能確保了對樣品角分辨分析的*性能。另外，樣品傾斜和樣品旋轉相結合，可同時(shí)實(shí)現角度的高分辨率和能量的高分辨率。

應用領(lǐng)域

主要應用于電池、半導體、光伏、新能源、有機器件、納米顆粒、催化劑、金屬材料、聚合物、陶瓷等固體材
料及器件領(lǐng)域。
用于全固態(tài)電池、半導體、光伏、催化劑等領(lǐng)域的先進(jìn)功能材料都是復雜的多組分材料，其研發(fā)依賴(lài)于化學(xué)結
構到性能的不斷優(yōu)化。ULVAC-PHI,Inc. 提供的全新表面分析儀器“PHI GENESIS" 全自動(dòng)多功能掃描聚焦X 射線(xiàn)
光電子能譜儀，具有*性能、高自動(dòng)化和靈活的擴展能力，可以滿(mǎn)足客戶(hù)的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平臺在各種研究領(lǐng)域的應用

電池 (AES + Transfer Vessel)

“LiPON/LiCoO2 橫截面的 pA-AES Li 化學(xué)成像"
Li 基材料例如LiPON，對電子束輻照敏感。
PHI GENESIS 提供的高靈敏度能量分析器可以在低束流（300pA）下快速獲取AES 化學(xué)成像。

有機器件 (UPS / LEIPS + GCIB)

使用UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 測量能帶結構
（1）C60 薄膜表面
（2）C60 薄膜表面清潔后
（3）C60 薄膜/Au 界面
（4）Au 表面
通過(guò)UPS/LEIPS 分析和Ar-GCIB 深度剖析可以確定有機層的能級結構。

半導體 (XPS + HAXPES)

半導體器件通常由包含許多元素的復雜薄膜組成，它們的研發(fā)通常需要對界面處的化學(xué)態(tài)進(jìn)行無(wú)損分析。為了從深層界面獲取信息，例如柵極氧化膜下的GaN，使用HAXPES 是非常有必要的。

微電子 (HAXPES)

微小焊錫點(diǎn)分析
HAXPES 分析數據顯示金屬態(tài)Sn 的含量高于XPS 分析數據，這是由于Sn 球表面被氧化，隨著(zhù)深度的加深，金屬態(tài)Sn的含量越高，正好符合HAXPES 分析深度比XPS 深的特點(diǎn)。