電阻率測試儀（RESmap ）在對低電阻率晶錠和晶圓進(jìn)行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復性Si | Ge | 化合物半導體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
電阻率測試儀（RESmap ）特征 ：
| 電阻率的非接觸式測量和成像 | 高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化 |
| 信號靈敏度 | 基于線(xiàn)圈頻率讀數的高信號靈敏度，可實(shí)現準確可靠的電阻率測量，并具有高再現性和可重復性 |
| 測量時(shí)間 | 測量時(shí)間 < 3 s，測量之間時(shí)間 < 1 s |
| 測量速度 | 200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個(gè)點(diǎn) |
| 多點(diǎn)測量及測繪顯示 | 不超過(guò)9999個(gè)點(diǎn) |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 邊緣扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模塊化、緊湊的臺式儀器設計，可靠性高，正常運行時(shí)間 > 99% |
| 電阻率測量的重復性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對材料系統分析（MSA） |
更多技術(shù)規格和配置選項:
為自動(dòng)化流程做準備 | 可用于不同的平臺 |
測量方法符合 | SEMI MF673標準 |
數據及數據有效性檢查 | 使用NIST標準 |
校準精度 | ±1% |
集成紅外溫度傳感器 （±0.1°） | 允許報告標準溫度下的電阻率，（與樣品的實(shí)際溫度不同） |
樣品厚度校準 | 對于高頻信號穿透深度大于穿透深度的樣品 |
電力要求 | 100-250 VAC, 5 A |
尺寸 | 465 ′ 550 ′ 600 mm |
軟件控制 | 配備Window10或新版本的標準PC，2個(gè)以太網(wǎng)端口 |
用戶(hù)友好且*的操作軟件：
◇ 電阻率測量配方；
◇ 導出/導入功能和原始數據訪(fǎng)問(wèn)；
◇ 多級用戶(hù)賬戶(hù)管理；
◇ 所有執行的測量概覽；
◇ 繪圖選項（線(xiàn)、十字、星、完整地圖、地形、用戶(hù)定義圖案）；
◇ 分析功能包；統計、方差分析、溫度校正函數和數據庫；
◇ 遠程訪(fǎng)問(wèn)；基于互聯(lián)網(wǎng)的系統允許在世界任何地方進(jìn)行遠程操作和技術(shù)支持；
電渦流傳感器的測量原理
中心處可實(shí)現較大的準確性和精確度
4H-SiC晶圓整個(gè)生長(cháng)面區域的電阻率變化測量
硅晶圓電阻率變化測量 — 面掃描、分布和線(xiàn)掃描
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